郑州专业回收废氮化硅
发货地址:河南省郑州巩义市
产品数量:9999.00吨
价格:¥2000.00 元/吨 起
氮化硅结合碳化硅制品致密性好,降低孔径,提高氮化硅结合碳化硅制品的耐压强度,体积密度,降低显气孔率,改善热震稳定性及抗酸碱性能,更好的应用于熔铝及稀土金属冶炼、铁合金等领域.
氮化硅结合碳化硅砖
氮化硅结合碳化硅砖砖是以碳化硅为主要原料,以黏土为结合剂烧成的耐火制品。其特征是热导率高、热膨胀系数小、抗热震性和耐磨性好,是碳化硅系砖中早开发出来的一种
主要用途:用于3—12英寸单晶硅、多晶硅、砷化钾、石英晶体等线切割。太阳能光伏产业、半导体产业、压电晶体产业工程性加工材料。用于半导体、避雷针、电路元件、高温应用、紫外光侦检器、结构材料、天文、碟刹、离合器、柴油微粒滤清器、细丝高温计、陶瓷薄膜、裁切工具、加热元件、核燃料、珠宝、钢、护具、触媒担体等领域。
碳化硅在民用与*电子、电工和机械方面都有越来越重要的应用价值。粉粒状SiC,用于机械研磨与切割;用粉粒SiC分别混和不同的添加成份、经干压成型和高温烧结可制成高温耐热陶瓷与电—热元件;在还原气氛中烧结的SiC陶瓷,具有晶界隧道效应,可制成电压敏元件,用于电路中的瞬态过电压抑制;N型SiC粉粒与**漆混合可用于抑制大型电机线棒端部电晕放电。SiC材料具有优良的导热特性,是用作大功率电子器件与集成电路的理想导热绝缘衬复材料,大尺寸SiC单晶及其元素掺杂技术的成功,已使SiC成为发展可在250℃高温下工作的功率电子和微电子器件的新型半导体材料。不同类型SiC的发光波段可覆盖整个可见光与紫外光范围,因而,又是制造各种发光器件的重要材料。
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